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KRI 離子源用于UVC人機共存紫外濾光片鍍膜
閱讀：235 發(fā)布時間：2023-12-7
紫外濾光片是一種光學(xué)元件, 通過使用分散在玻璃材料表面的光學(xué)薄膜控制入射光通過膜層后不同波長光的透反比. 222nm是紫外不可避免的一個波段, 因為其生物體透過率低, 被譽為對人體安全的紫外線.222nm遠(yuǎn)紫外殺菌產(chǎn)品一定程度上解決了傳統(tǒng)紫外線不能直接照射人體的痛點問題, 兼顧了功能性和安全性, 實現(xiàn)了人機友好共存, 有效減少和滅殺身體表面多達(dá)99.9%的細(xì)菌和病原體.
紫外線在222nm下工作對濾光片生產(chǎn)廠家來說是一項挑戰(zhàn), 因為許多常用材料在這個波段有較大的吸收、甚至不通光. 大多數(shù)干涉濾光片的設(shè)計都假設(shè)光只被透射或反射而不被吸收, 而遠(yuǎn)紫外波段由于吸收較大、材料選擇有限, 鍍膜難以獲得較高的透過成為業(yè)內(nèi)的一個難題. 為了解決傳統(tǒng)紫外濾光片膜層光譜吸收嚴(yán)重等問題, 經(jīng)過推薦上海伯東某客戶采用光學(xué)鍍膜機加裝美國進(jìn)口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380 鍍制222nmUVC 紫外濾光片, 選取紫外通光性能及高低折射率較好的基底和材料, 鍍膜效果可達(dá)到客戶高品質(zhì)要求.
KRI 離子源用于UVC人機共存紫外濾光片鍍膜
上海伯東美國進(jìn)口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制222nm紫外濾光片, 能夠盡可能地減小材料在紫外波段的吸收, 并且沉積過程穩(wěn)定, 加以合理的膜系設(shè)計和均勻性修正, 可以很好地鍍制出透過率高、截止深度高、溫度漂移小、膜層致密性好、使用壽命長的產(chǎn)品, 解決業(yè)內(nèi)在紫外波段鍍膜透過率不高以及溫漂的難題.
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻離子源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 22 cm Φ | 38 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 or RFN | ||||
KRI 考夫曼離子源其余相關(guān)應(yīng)用：
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應(yīng)用
離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用
伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 輔助沉積高鋁超硬涂層增強切削性能
相關(guān)產(chǎn)品:
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KRI 考夫曼離子源 KDC 100
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上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
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上海伯東: 羅小姐