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芯片清洗用超純水設備-15T/H

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更新時間：2023-06-20 15:39:15瀏覽次數(shù)：132次

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產(chǎn)品簡介

一、芯片清洗用超純水設備-15T/H概述　　芯片清洗用超純水設備-15T/H的出水量是每小時15噸

詳細介紹

　　一、芯片清洗用超純水設備-15T/H概述

　　芯片清洗用超純水設備-15T/H的出水量是每小時15噸。芯片清洗用超純水設備采用*的電滲析與離子交換相結合的技術，克服了單一技術的缺點，的結合了兩種技術的優(yōu)點，滿足實際的生產(chǎn)需要。芯片清洗用超純水設備是根據(jù)電子行業(yè)特殊要求而設計并制造的水處理設備，用戶可以根據(jù)自己的實際需要，調整設備的出水量，滿足用戶的實際需求。芯片清洗行業(yè)用超純水設備現(xiàn)已得到廣泛的應用。

　　二、芯片清洗用超純水設備-15T/H的原理

　　電去離子(EDI)系統(tǒng)主要是在直流電場的作用下，通過隔板的水中電介質離子發(fā)生定向移動，利用交換膜對離子的選擇透過作用來對水質進行提純的一種科學的水處理技術。電滲析器的一對電極之間，通常由陰膜，陽膜和隔板(甲、乙)多組交替排列，構成濃室和淡室(即陽離子可透過陽膜,陰離子可透過陰膜)。淡室水中陽離子向負極遷移透過陽膜，被濃室中的陰膜截留，水中陰離子向正極方向遷移陰膜，被濃室中的陽膜截留，這樣通過淡室的水中離子數(shù)逐漸減少，成為淡水，而濃室的水中，由于濃室的陰陽離子不斷涌進，電介質離子濃度不斷升高，而成為濃水，從而達到淡化、提純、濃縮或精制的目的。

超純水設備

　　三、芯片清洗用超純水設備-15T/H優(yōu)點

　　1、無需酸堿再生：在混床中樹脂需要用化學藥品酸堿再生，而EDI則消除了這些有害物質的處理和繁重的工作。保護了環(huán)境。

　　2、連續(xù)、簡單的操作：在混床中由于每次再生和水質量的變化，使操作過程變得復雜，而EDI的產(chǎn)水過程是穩(wěn)定的連續(xù)的，產(chǎn)水水質是恒定的，沒有復雜的操作程序，操作大大簡便化。

　　3、降低了安裝的要求：EDI系統(tǒng)與相當處理水量的混床相比，有較不的體積，它采用積木式結構，可依據(jù)場地的高度和靈活的構造。模塊化的設計，使EDI在生產(chǎn)工作時能方便維護。

　　四、芯片清洗用超純水設備的工藝流程

　　1、采用離子交換方式，其流程如下：

　　原水→原水加壓泵→多介質過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→陽樹脂過濾床→陰樹脂過濾床→陰陽樹脂混床→微孔過濾器→用水點。

　　2、采用兩級反滲透方式，其流程如下：

　　原水→原水加壓泵→多介質過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→級反滲透 →PH調節(jié)→中間水箱→第二級反滲透(反滲透膜表面帶正電荷)→純化水箱→純水泵→微孔過濾器→用水點。

　　3、采用EDI方式，其流程如下：

　　原水→原水加壓泵→多介質過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級反滲透機→中間水箱→中間水泵→EDI系統(tǒng)→微孔過濾器→用水點。

　　五、影響芯片清洗用超純水設備運行的因素

　　(1)EDI進水電導率的影響。在相同的操作電流下，隨著原水電導率的增加EDI對弱電解質的去除率減小，出水的電導率也增加。如果原水電導率低則離子的含量也低，而低濃度離子使得在淡室中樹脂和膜的表面上形成的電動勢梯度也大，導致水的解離程度增強，極限電流增大，產(chǎn)生的H+和OH-的數(shù)量較多，使填充在淡室中的陰、陽離子交換樹脂的再生效果良好。

　　(2)工作電壓-電流的影響。工作電流增大，產(chǎn)水水質不斷變好。但如果在增至高點后再增加電流，由于水電離產(chǎn)生的H+和OH-離子量過多，除用于再生樹脂外，大量富余離子充當載流離子導電，同時由于大量載流離子移動過程中發(fā)生積累和堵塞，甚至發(fā)生反擴散，結果使產(chǎn)水水質下降。

　　(3)濁度、污染指數(shù)(SDI)的影響。EDI組件產(chǎn)水通道內填充有離子交換樹脂，過高的濁度、污染指數(shù)會使通道堵塞，造成系統(tǒng)壓差上升，產(chǎn)水量下降。

　　(4)硬度的影響。如果EDI中進水的殘存硬度太高，會導致濃縮水通道的膜表面結垢，濃水流量下降，產(chǎn)水電阻率下降。影響產(chǎn)水水質，嚴重時會堵塞組件濃水和極水流道，導致組件因內部發(fā)熱而毀壞。

　　(5)TOC(總有機碳)的影響。進水中如果有機物含量過高，會造成樹脂和選擇透過性膜的有機污染，導致系統(tǒng)運行電壓上升，產(chǎn)水水質下降。同時也容易在濃縮水通道形成有機膠體，堵塞通道。

　　(6)鐵、錳等金屬離子的影響。鐵、錳等金屬離子會造成樹脂的“中毒”。樹脂的金屬“中毒”會造成EDI出水水質的迅速惡化，尤其是硅的去除率迅速下降。另外變價屬對離子交換樹脂的氧化催化作用，會造成樹脂的性損傷。

　　(7)進水中CO2的影響。進水中CO2生成的HCO3-是弱電解質，容易穿透離子交換樹脂層而造成產(chǎn)水水質下降。

　　(8)總陰離子含量(TEA)的影響。高的TEA將會降低EDI產(chǎn)水電阻率，或需要提高EDI運行電流，而過高的運行電流會導致系統(tǒng)電流增大，水中的濃度增大，對膜的命不利。

　　另外，進水溫度、pH值、SiO2以及氧化物亦對EDI系統(tǒng)運行有影響。