-
射頻離子源用于輔助制備 MoS2 自潤(rùn)滑涂層 詳細(xì)摘要: KRI 射頻離子源成功用于輔助制備 MoS2 自潤(rùn)滑涂層
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-31 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼離子源用于 IBF 離子束拋光工藝 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 10 用于 IBF 離子束拋光工藝
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-31 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
霍爾離子源用于蒸鍍天文望遠(yuǎn)鏡鏡片全反射膜 詳細(xì)摘要: 美國(guó) KRI 霍爾離子源 EH 3000用于蒸鍍天文望遠(yuǎn)鏡鏡片全反射膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
射頻離子源持續(xù)轟擊TiN薄膜獲得更優(yōu)秀性能 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 持續(xù)轟擊 TiN 薄膜獲得更優(yōu)秀性能
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
伯東 KRI 考夫曼離子源輔助鍍制 HfO2 薄膜 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 輔助鍍制 HfO2 薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
聚焦射頻離子源輔助磁控濺射鍍制 3D 玻璃膜 詳細(xì)摘要: 聚焦射頻離子源 RFICP 220 輔助磁控濺射鍍制 3D 玻璃膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
聚焦型離子源輔助離子束濺射鍍制SiO_2薄膜 詳細(xì)摘要: 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 輔助離子束濺射鍍制 SiO_2薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取Ta2O5薄膜 詳細(xì)摘要: 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
離子源用于離子束濺射鍍制Ge納米薄膜的研究 詳細(xì)摘要: KRI 離子源用于離子束濺射鍍制 Ge 納米薄膜的研究
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
射頻離子源和分子泵組用于濺射沉積Cu薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 射頻離子源 RFICP 380 和 分子泵組用于濺射沉積 Cu 薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
聚焦型離子源輔助磁控濺射沉積氧化銦錫薄膜 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 聚焦型射頻離子源輔助磁控濺射沉積氧化銦錫 ITO 薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
射頻離子源用于透明導(dǎo)電薄膜及性能研究試驗(yàn) 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220用于 ZAO 透明導(dǎo)電薄膜及性能研究試驗(yàn)
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼霍爾離子源用于清洗PPS/ PEEK襯底面 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 考夫曼霍爾離子源 eh 3000 用于清洗 PPS/ PEEK 襯底面
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI聚焦型射頻離子源用于制備超薄 TEM 樣品 詳細(xì)摘要: KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380用于制備超薄 TEM 樣品
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 射頻離子源用于碳化硅微納結(jié)構(gòu)表面刻蝕 詳細(xì)摘要: KRI 射頻離子源用于碳化硅微納結(jié)構(gòu)表面刻蝕
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼離子源 輔助鍍制五金連接件鉻膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼離子源 KDC 100輔助鍍制五金連接件鉻膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 聚焦型射頻離子源用于制備類金剛石薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 聚焦型射頻離子源用于制備類金剛石薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-17 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
離子源用于光學(xué)元件KDP晶體的濺射與刻蝕 詳細(xì)摘要: 離子源用于大口徑光學(xué)元件 KDP 晶體的濺射與刻蝕
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-16 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
伯東無柵霍爾離子源輔助鍍制高質(zhì)量光學(xué)薄膜 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 無柵霍爾離子源 eH 3000 輔助鍍制高質(zhì)量光學(xué)薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-16 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
離子源輔助沉積高鋁超硬涂層增強(qiáng)切削性能 詳細(xì)摘要: 考夫曼離子源 KDC 160 輔助沉積高鋁超硬涂層增強(qiáng)切削性能
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-16 參考價(jià):¥ 300000 在線留言