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KRI 離子源應(yīng)用于超高真空電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-03 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-03 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源簡(jiǎn)介 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-03 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍?cè)O(shè)備 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-03 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 離子源應(yīng)用于電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
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KRI 射頻離子源應(yīng)用于多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
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KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-03 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRi 離子源應(yīng)用于車(chē)載攝像頭鏡片鍍膜工藝 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
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KRi射頻離子源樹(shù)脂鏡片高性能 AR 工藝 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
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KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積 BCx 薄膜 詳細(xì)摘要: 蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射碳化硼靶和石墨靶...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-06-05 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源鍍制氣體傳感器WO3薄膜 詳細(xì)摘要: 某傳感器制造商為了制備出具有高結(jié)晶度、大比表面積、排列規(guī)則的納米結(jié)構(gòu) WO3 薄膜, 經(jīng)過(guò)對(duì)比選擇, 采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射...
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考夫曼射頻離子源濺射沉積納米純 Ti 薄膜 詳細(xì)摘要: 純 Ti 薄膜具有優(yōu)異的力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性、生物相容性和良好的抗摩擦磨損性, 被廣泛應(yīng)用于航空航天、科研、光學(xué)和微電子器件等領(lǐng)域, 因此具有重要的研究?jī)r(jià)值.
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KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積 MoN 薄膜 詳細(xì)摘要: MoN薄膜是一種具有潛在應(yīng)用價(jià)值的薄膜材料, 但對(duì)于其結(jié)構(gòu)和性能的研究還較少. 因此,廣州某研究機(jī)構(gòu)采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 在 304 ...
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考夫曼離子源成功用于多靶磁控濺射鍍膜機(jī) 詳細(xì)摘要: 某 OEM 廠商為了提高鍍膜機(jī)鍍膜的品質(zhì), 其為客戶搭建的多靶磁控濺射鍍膜機(jī)的濺射源采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍爾...
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KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積鈦金屬薄膜 詳細(xì)摘要: 鈦金屬具有許多優(yōu)異的性能, 例如低密度/ 高熔點(diǎn)/ 耐腐蝕/ 無(wú)磁性和硅基襯底結(jié)合力好/ 具有形狀記憶和吸氫特性等, 因此對(duì)于磁控濺射沉積鈦薄膜的研究有很多.
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考夫曼射頻離子源鍍制紅外器件 ZnS 薄膜 詳細(xì)摘要: 某半導(dǎo)體廠商為了提高紅外器件 ZnS 薄膜厚度均勻性, 采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射沉積設(shè)備鍍制紅外器件 ZnS 薄膜, 并采用動(dòng)...
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考夫曼射頻離子源濺射沉積半導(dǎo)體IGZO薄膜 詳細(xì)摘要: 河北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜.
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KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積ZnNi合金薄膜 詳細(xì)摘要: 沈陽(yáng)某大學(xué)課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法制備了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空熱處理對(duì)其成分及表...
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考夫曼射頻離子源制備IFBA 芯塊ZrB2 涂層 詳細(xì)摘要: 某科研機(jī)構(gòu)在 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助鍍膜設(shè)備濺射沉積 ZrB2 涂層.
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KRI 考夫曼射頻離子源制備 NGZO 薄膜 詳細(xì)摘要: 上海某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮?dú)? 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-05-30 參考價(jià):¥ 300000 在線留言